【德國西門康可控硅】可控硅結構

時間：2021-09-13

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
熔斷器的主要作用是什么？
熔斷器俗稱保險絲或保險管。早的保險絲于一百多年前由愛迪生發明，由于當時的工業技術不發達白熾燈很貴重，所以，初是將它用保險絲來保護價格昂貴的白熾燈的。熔斷器保護電子設備不受過電流的傷害，也可避免電子設備因內部故障所引起的嚴重傷害。因此，每個熔斷器上皆有額定規格，當電流**過額定規格時保險絲將會熔斷。當介于常規不熔斷電流與相關標準規定的額定分斷能力(的電流)之間的電流作用于熔斷器時，熔斷器應能滿意地工作
【二極管模塊】二極管結構組成
二極管結構組成二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。?采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。??由P區引出的電極稱為陽極，N區引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。?[4]&nbs
晶閘管在焊機中的應用
焊機的工況是間歇性的。即晶閘管工作時結溫升高，停止工作時結溫降至一定值。再次工作，結溫在此值的基礎上升高。這里應該使用晶閘管設計實例1中提到的瞬態熱阻的概念。在這種情況下，熱平衡條件由安裝的散熱器和晶閘管的瞬態熱阻之和決定。計算公式見圖1。圖1在幾種常見載條件下等效結溫的計算公式(一)舉例說明。例1:某焊機采用六相半波帶平衡電抗整流線。滿負荷工作時，導角120°。每個晶閘管的平均電流為66.有效電