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詞條說明
IGBT檢測判斷極性首先將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時(shí),若某一較與其它兩較阻值為無窮大,調(diào)換表筆后該較與其它兩較的阻值仍為無窮大,則判斷此較為柵較(G )其余兩較再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為**較(E)。判斷好壞將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的集電極(C),紅表筆接IGB
1 晶閘管(SCR)晶閘管簡稱晶閘管,又稱可控硅整流元件(SCR),是由三個(gè)PN一種由結(jié)構(gòu)組成的大功率半導(dǎo)體設(shè)備。在性能方面,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦裕冶裙枵髟哂休^有**的可控性。它只有兩種狀態(tài):導(dǎo)電和關(guān)閉。晶閘管有許多優(yōu)點(diǎn),如:小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)數(shù)十萬倍;反應(yīng)快,微秒內(nèi)開關(guān);無接觸操作,無火花,無噪音;效率高,成本低。因此,特別是在大功率方面UPS晶閘管廣泛應(yīng)用于整流電
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級1200V,電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點(diǎn),可以達(dá)到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點(diǎn),新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計(jì)方法,在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33%。因此本實(shí)驗(yàn)選用此高功率密度IGBT模塊,分別使用兩種驅(qū)動(dòng)對
整流橋是橋式整流電路的實(shí)物產(chǎn)品,那么實(shí)物產(chǎn)品該如何接線到實(shí)際電路中呢?一般來講整流橋4個(gè)腳位都會(huì)有明顯的極性說明,工程設(shè)計(jì)接線圖的時(shí)候已經(jīng)將安裝方式固定下來了,那么在實(shí)際應(yīng)用過程中只需要,對應(yīng)線路板的安裝孔就好了。整流橋連接方法主要分兩種,一個(gè)是實(shí)物產(chǎn)品與電路圖的對應(yīng)方式。左側(cè)為橋式整流電路內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖,B3作為整流正極輸出,C4作為整流負(fù)極輸出,A1與A2共同作為交流輸入端。整流橋?qū)嵨锂a(chǎn)品圖樣式,
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