可控硅模塊批發(fā) 可控硅模塊的升溫3個(gè)方法

時(shí)間：2022-06-23作者：江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司瀏覽：266

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• 可控硅模塊批發(fā) 可控硅模塊的升溫3個(gè)方法

  可控硅模塊批發(fā) 可控硅模塊的升溫3個(gè)方法1.昆明二晶可控硅模塊環(huán)境溫度測量：溫度計(jì)放置在距被測硅模塊表面1.5m的溫度計(jì)中，溫度計(jì)測量點(diǎn)與減速器軸線的高度。溫度計(jì)的放置不受外部輻射熱和氣流的影響，環(huán)境溫度值和工作溫度值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。2.可控硅模塊的溫升按以下公式計(jì)算公式中:δt-可控硅模塊溫升，℃。3.可控硅模塊工作溫度測量：可控硅模塊溫升測量通常與減速器的承載能力和傳動效率測量同時(shí)進(jìn)行，也可

• IGBT介紹

  ? ? ? IGBT是能源變換與傳輸?shù)?*器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用較廣。? ? ? IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙較型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器

• igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)

  igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IG的柵較通過一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此，IG失效的常見原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此，在使用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時(shí)，在觸摸之前，用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電；使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時(shí)，請勿在接線前連接模塊；igbt模塊

• 整流橋概述

  ? ? ? ?整流橋是將數(shù)個(gè)(兩個(gè)或四個(gè))整流二極管封在一起組成的橋式整流器件，主要作用還是把交流電轉(zhuǎn)換為直流電，也就是整流，因此得名整流橋。整流橋分全橋和半橋.全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起.半橋是將兩個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路,一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路, 選擇整流橋要考慮整流