杭州可控硅模塊型號有什么

時間：2025-05-29

作者：昆山奇沃電子有限公司

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詞條
詞條說明
可控硅模塊的工作原理是什么?主要起什么作用？
? ? ? 可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀
【二極管模塊】二極管模塊分類
二極管算是半導體家族中的元老了，從1930年開始，半導體整流器開始投入市場。二極管模塊分為：快恢復二極管模塊，肖特基二極管模塊，整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區別是功率、速度和封裝不同。二級管一般指電流、電壓、功率比較小的單管，一般電流在幾個安培以內，電壓最高1000多V，但是反向恢復素很快，只有幾個ns至幾十個ns，用在小功率開關電源做輸出整流，或需要頻繁開關的場
熔斷器概述
低壓熔斷器是低壓配電系統中起安全保護作用的一種電器，主要作短路保護，有時也可起過載保護作用。廣泛應用于電網保護和用電設備保護，當電網或用電設備出現短路或過載故障時，通過熔體的電流大于額定值，熔體因過熱而被熔化，自動切斷電路，避免電網或用電設備的損壞，并防止事故的蔓延。在正常情況下，熔斷器相當于一根導線，在發生短路時，電流過大，熔體因過熱而熔化，自動斷開電路。在切斷電路過程中往往產生強烈的電弧并向四
【英飛凌IGBT銷售】IGBT結構
一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極（即發射極E）。N基極稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有的功能區