上海英飛凌IGBT模塊

時間：2025-07-02

作者：昆山奇沃電子有限公司

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詞條說明
整流橋原理及其檢測方法
整流橋原理及其檢測方法整流橋原理整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋，全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構成的。全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規格，耐壓值（最高反向電壓）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多種規格。選
揚州熔斷器的種類及優缺點
熔斷器概述熔斷器是一種簡單且高效的電路保護元件，在電氣系統中扮演著關鍵角色。當電路中出現過載或短路等異常情況時，電流會急劇增大，熔斷器內部的熔體因發熱而迅速熔斷，從而切斷電路，防止電氣設備和線路因過熱、過流而損壞，避免引發火災等安全事故。它具有結構簡單、成本低、動作可靠等優點，廣泛應用于各類電氣設備和配電系統中。作為電力電子領域的專業供應商，我們企業長期致力于為客戶提供優質的電路保護解決方案。憑
IGBT可控硅模怎么選擇
如何挑選合適的IGBT可控硅模塊電力電子領域最核心的功率器件當屬IGBT可控硅模塊。這種半導體器件憑借其獨特的性能優勢，在變頻器、UPS電源、電焊機等設備中扮演著關鍵角色。選擇IGBT模塊首先要關注電壓電流參數。額定電壓需留出30%余量，以應對電網波動和感性負載產生的電壓尖峰。電流參數則要考慮實際工作電流和峰值電流，通常建議選擇額定電流是實際工作電流2倍以上的型號。過小的電流容量會導致模塊過熱損壞
【英飛凌IGBT銷售】IGBT結構
一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極（即發射極E）。N基極稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有的功能區