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? ? ? 可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀
IGBT功率模塊:現代電力電子的核心器件在當今電力電子技術飛速發展的時代,IGBT功率模塊已成為工業自動化、新能源、智能電網等領域的核心部件。作為一家專業代理國際知名品牌電力電子器件的企業,我們深知IGBT功率模塊在現代工業中的重要性。本文將深入探討IGBT功率模塊的工作特性,幫助您更好地理解這一關鍵器件。IGBT功率模塊的基本結構與工作原理IGBT功率模塊是一種將絕緣柵雙極型晶體管芯片與相關電
英飛凌IGBT模塊概述英飛凌IGBT模塊作為電力電子領域的核心器件,憑借其卓越的性能和可靠性,已成為工業自動化、新能源發電、電動汽車等領域的首選功率半導體解決方案。英飛凌IGBT模塊融合了MOSFET快速開關特性與雙極型晶體管低導通壓降優勢,具有高輸入阻抗、高速開關、低導通損耗等顯著特點,能夠滿足各種嚴苛應用環境下的功率轉換需求。作為一家專業代理英飛凌等國際知名品牌功率半導體器件的企業,我們深知
IGBT模塊的型號密碼:解讀英飛凌命名體系電力電子工程師打開IGBT模塊規格書時,首先映入眼簾的是一串復雜的字母數字組合。這些看似隨機的字符背后隱藏著嚴謹的命名邏輯,掌握這套密碼體系能快速判斷模塊的關鍵參數。模塊型號通常包含六個核心信息段。第一部分表示電壓等級,數字6代表600V,1代表1200V,這是模塊耐壓能力的直接體現。第二部分字母組合顯示產品系列,不同系列對應特定的技術代次和工藝特征。第三
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
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