德國英飛凌IGBT模塊

時間：2025-05-29作者：昆山奇沃電子有限公司瀏覽：69

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• 詞條

  詞條說明

• 【進口吸收電容】薄膜電容的吸收系數(shù)

  薄膜電容器是一種以金屬箔當電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而聚丙烯的薄膜電容它吸收系數(shù)很小，容量及損耗角正切tg σ隨溫度變化很小，介電強度隨溫度上升有所增加，這是他的一種特點，這是其他電容器難以擁有的。那什么是它的吸收系數(shù)呢？這是用來形容薄膜電容器電介質(zhì)吸收現(xiàn)象的數(shù)值，我們稱之為吸收系數(shù)，這是和電介質(zhì)、電介質(zhì)的極化和電容器的吸收

• 關(guān)于IGBT功率模塊的智能驅(qū)動器設計

  ? ? ? 其功率模塊采用雙功率模塊設計，即每個模塊由兩個開關(guān)單元組成。為保證功率IGBT在高頻、高壓、大電流下工作，要設計可靠的柵極驅(qū)動電路。一個性能良好的驅(qū)動電路要求觸發(fā)脈沖應具有足夠快的上升和下降速度，即在開通瞬時,驅(qū)動電路應能提供足夠大的充電電流,使IGBT柵源極間電壓迅速上升到所需值,并保持穩(wěn)定,以保證其可靠導通,且不存在上升沿的高頻振蕩;在關(guān)斷瞬時,驅(qū)動電

• 英飛凌各代IGBT模塊技術(shù)詳解

  # IGBT模塊技術(shù)的演進與未來趨勢## IGBT技術(shù)發(fā)展歷程IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊技術(shù)自問世以來經(jīng)歷了多次重大革新。早期產(chǎn)品采用平面柵結(jié)構(gòu)，開關(guān)速度相對較慢，導通損耗較高。隨著工藝進步，溝槽柵技術(shù)應運而生，顯著降低了導通壓降，提高了開關(guān)頻率。第三代IGBT引入場終止技術(shù)，使芯片厚度大幅減小，同時保持了良好的阻斷電壓能力。近年來出現(xiàn)的第七代IGBT模塊在功率密度方面取得突破，單位面積電

• 可控硅壞的原因及維護方法

  可控硅壞的原因：1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有