PVD技術在半導體器件中的應用

時間：2024-07-18

作者：鵬城半導體技術（深圳）有限公司

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等離子體化學氣相沉積設備有哪些特點《臺風資訊》
等離子體化學氣相沉積設備有兩種:其一是PCVD(等離子體一般化學氣相沉積)，另一個是PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)，它們都是在20世紀70年代發展起來的鍍膜工藝。其特點是:1、在不同基片上制備各種金屬膜、**物聚合膜、非晶態無機物膜;2、等離子體清洗基材，使膜層的附著力增加;3、可制備厚膜，內應力小、致密性好、針孔小、膜層成分均勻、不易產生微裂紋;4、低溫成膜，溫度對基材沒什么影響，避免了
叮~鵬城半導體向您發來一封會議邀請函
2023年*二屆*三代半導體材料技術與市場研討會由半導體在線主辦，本屆會議于2023年3月30-31日在中國-蘇州合景萬怡酒店召開。*二屆*三代半導體材料技術與市場研討會提供協同創新的高質量交流平臺，推動國內三代半導體材料的學術研究、技術進步和產業發展，展示業內精英企業，凝聚行業發展共識。在此次會議，鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導體）將帶來納米技術及**制造設備跟大家見面，其中包括
為您提供高性價比真空鍍膜設備解決方案《520愛情風暴來襲》
真空鍍膜設備的薄膜制作過程，簡單來說就是將一種材料(薄膜材料）轉移到另一種材料(基底)的表面，形成和基底牢固結合的薄膜的過程。所以，任何的真空鍍膜薄膜制作方法都包括:源蒸發、遷移和凝聚三個重要環節。多功能磁控濺射儀一、鍍膜蒸發源“源"的作用是提供鍍膜的材料（或被鍍材料中的某種組分)。通過物理或化學的方法使鍍膜材料成為氣態物質。熱絲CVD金剛石設備二、遷移過程遷移過程都是在氣相中進行的，在氣態物質遷
鵬城半導體亮相*八屆***三代半導體論壇
一年一度行業盛會，*八屆***三代半導體論壇（IFWS ）&*十九屆中國**半導體照明論壇（SSLCHINA）于2023年2月7日-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。在這場被視為“***三代半導體行業*”的盛會上，由2014年諾貝爾物理獎獲得者、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、日本名古屋大學未來材料與系統研究所教授天野浩，美國工程院院士、美國國家發明