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硅片清洗廢水處理的工藝流程硅片清洗廢水處理是硅片切割后將硅錠用破錠機切割成硅塊,再用線鋸機將硅塊切割成硅片的過程,是光伏企業的重要生產環節。硅塊和硅片切割完成后大部分切割液回收再利用,硅塊和硅片上殘存少量切割液,需進行清洗,清洗過程產生含有切割液等**物的廢水。今天,小編就給大家介紹下硅片清洗廢水處理的工藝流程吧。廢水的主要成分為聚乙二醇,可生化性較差,COD較高,較難處理。因水中沒有氮、磷等營養
介紹半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質,包括**物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態,有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。**污染包括光刻膠、**溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等,嚴重影響少數載流子壽命和表面電導;堿金屬如鈉等,引起嚴重漏電;顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌
一、機械切割玻璃:機械切割玻璃是利用玻璃的抗張應力低的力學性能,一般采用金剛石或金剛砂在表面施以傷痕,受力部位由于受到張應力而切斷的方法。(1)玻璃刀切割不太厚的玻璃時,使用在黃銅端部鑲有金剛石的金剛石玻璃刀,切割普通平板玻璃,往往使用超硬刀輪。另外,切割時加入煤油等液體,對切口、工具壽命都有較好的保護作用。此外,對鉛質軟玻璃細管,也有用銼刀來切斷的。(2)金剛石鋸切割金剛石鋸,不限于玻璃,還廣泛
硅片切割難點:1、雜質線痕:由多晶硅錠內雜質引起,在切片過程中無法完全去除,導致硅片上產生相關線痕。2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結塊引起。切割過程中,SIC顆粒“卡”在鋼線與硅片之間,無法溢出,造成線痕。 表現形式:包括整條線痕和半截線痕,內凹,線痕發亮,較其它線痕較加窄細。 3、密布線痕(密集型線痕):由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統問題,造成硅片上出現密集線痕區域。
公司名: 北京華諾恒宇光能科技有限公司
聯系人: 張經理
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地 址: 北京豐臺花鄉北京市豐臺區南三環玉泉營橋西春嵐大廈1號樓2單元102室
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