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IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。當集電極被施加一
IGBT的驅動電路必須具備兩個功能:一是實現控制電路與被驅動 IGBT柵極的電隔離;二是提供合適的柵極驅動脈沖。IGBT的驅動電路很多,分立元件搭成的驅動電路,簡單、廉價;專用集成驅動電路保護功能完善、性能穩定,但價格稍貴些。獲取海量變頻器圖紙,想了解更多工業電路板、電梯電路板、變頻器相關知識請關注“從零開始變頻器維修”微信公眾號。EXB841是日本富士公司生產的混合集成電路,能驅動動高達 400
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點,如驅動功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續流二極管芯片)通過特定的
IGBT短路試驗:首先明確一點,IGBT的短路和過流區別!IGBT短路分為一類短路和二類短路一類短路指直通雙橋壁的另一個IGBT,讓另一個IGBT導通,回路中雜散電感很小,nH的電感二類短路指回路中雜散電感很大,uH的電感,屬于過流!短路電感很小,電流上升很快,危害性很大,過流時,電流上升相對慢!當采用霍爾傳感器進行保護時,因為霍爾傳感器和濾波電路的延遲在ms量級,對于一類短路1us電流就能上升到
公司名: 深圳市寶安區誠芯源電子商行
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