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詞條說明
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優
IGBT的工作原理IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術
(1)操作過程中要佩戴防靜電手環;(2)盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;(3)IGBT模塊驅動端子上的黑色海綿是防靜電材料,用戶用接插件引線時取下防靜電材料立即插上引線;(4)在焊接作業時,設備容易引起靜電壓的產生,為了防止靜電的產生,請先將設備處于良好的接地狀態下。上述就是為你介紹的有關IGBT使用注意事項的內容,對此
(1)提供適當的正向和反向輸出電壓,使IGBT可靠的開通和關斷。(2)提供足夠大的瞬時電流或瞬態功率,使IGBT能迅速建立柵控電場而導通。(3)具有盡可能小的輸入輸出延遲時間,以提高工作效率。(4)具有足夠高的輸入輸出電氣隔離性能,使信號電路與柵極驅動電路絕緣。(5)具有靈敏的過流保護能力。上述就是為你介紹的有關IGBT的驅動電路有什么特點的內容,對此你還有什么不了解的,歡迎前來咨詢我們網站,我們
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