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IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。當集電極被施加一
(1)操作過程中要佩戴防靜電手環;(2)盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;(3)IGBT模塊驅動端子上的黑色海綿是防靜電材料,用戶用接插件引線時取下防靜電材料立即插上引線;(4)在焊接作業時,設備容易引起靜電壓的產生,為了防止靜電的產生,請先將設備處于良好的接地狀態下。上述就是為你介紹的有關IGBT使用注意事項的內容,對此
西門子觸摸屏顯示異常可能是由以下原因造成的:觸摸屏本身故障:觸摸屏的硬件部件可能出現故障,如驅動電路損壞、顯示屏面板破損等,導致顯示異常。此時需要檢查觸摸屏本身的硬件情況,可能需要更換故障的電子元件或整塊顯示屏。觸摸屏連接線路問題:觸摸屏的連接線路可能出現松動、接觸不良或損壞等情況,導致觸摸屏無法正常顯示。解決方法包括檢查連接線路的穩固性,確保連接良好,必要時更換損壞的線路或接頭。電源供應問題:觸
富士IGBT是一種功率半導體器件,具有以下優勢特點:高功率密度:富士IGBT具有良好的導通和關斷特性,可以實現高功率輸出,有助于減小器件尺寸和重量。低導通壓降:富士IGBT具有低導通壓降,使其在開關狀態下具有較低的能耗和功率損耗,有助于提高器件和系統的效率。快速開關速度:富士IGBT的開關速度較快,能夠實現快速的開關操作,有助于減小開關損耗和提高系統響應速度。可靠性高:富士IGBT采用高質量的材料
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