等離子增強化學氣相淀積系統(PECVD)

時間：2014-10-22

作者：青島福潤德微電子設備有限公司

詞條
詞條說明
（單管程序氧化爐）
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等離子增強化學氣相淀積系統(PECVD)
? 等離子增強化學氣相淀積系統(PECVD) PECVD（等離子增強化學氣相淀積）設備是一種用于在基片上生成高質量SiNx和SiO2薄膜的**設備。淀積溫度范圍寬( 100～600oC可調)，特別適用于半導體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領域科研和生產不可缺少的設備。產品特點： 1、膜質量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機（易漏大氣而
立式真空爐
空爐（vacuum furnace）是真空環境中進行加熱的設備。在金屬罩殼或石英玻璃罩密封的爐膛中用管道與高真空泵系統聯接。爐膛真空度可達133×(10-2～10-4)h。爐內加熱系統可直接用電阻爐絲(如鎢絲)通電加熱，也可用高頻感應加熱。較高溫度可達3000℃左右。主要用于陶瓷燒成、真空冶煉、電真空零件除氣、退火、金屬件的釬焊，以及陶瓷-金屬封接等。目錄 1概述 2構造 3原理 4功能 5
擴散爐
擴散爐由控制系統、進出舟系統、爐體加熱系統和氣體控制系統等組成。控制系統控制部分包括：溫控器、功率部件、**溫保護部件、系統控制。系統控制部分有四個獨立的計算機控制單元，分別控制每層爐管的推舟、爐溫及氣路部分，是擴散/氧化系統的控制中心。擴散爐網絡控制輔助控制系統，包括推舟控制裝置、保護電路、電路轉接控制、三相電源指示燈、照明、凈化及抽風開關等。較**的擴散爐控制系統均已較新或升級到微