LPCVD設備

時間：2014-10-22

作者：青島福潤德微電子設備有限公司

詞條
詞條說明
擴散爐
擴散爐由控制系統、進出舟系統、爐體加熱系統和氣體控制系統等組成。控制系統控制部分包括：溫控器、功率部件、**溫保護部件、系統控制。系統控制部分有四個獨立的計算機控制單元，分別控制每層爐管的推舟、爐溫及氣路部分，是擴散/氧化系統的控制中心。擴散爐網絡控制輔助控制系統，包括推舟控制裝置、保護電路、電路轉接控制、三相電源指示燈、照明、凈化及抽風開關等。較**的擴散爐控制系統均已較新或升級到微
等離子增強化學氣相淀積系統(PECVD)
? 等離子增強化學氣相淀積系統(PECVD) PECVD（等離子增強化學氣相淀積）設備是一種用于在基片上生成高質量SiNx和SiO2薄膜的**設備。淀積溫度范圍寬( 100～600oC可調)，特別適用于半導體器件和集成電路的鈍化，用以提高器件和集成電路可靠性。目前，它已成為微電子和光電子領域科研和生產不可缺少的設備。產品特點： 1、膜質量高。它不同于通常使用的翻蓋式單室機（易漏大氣而
led專用爐
■ LED**爐特點?? ◆ 關鍵件全部采用進口件，具有高可靠性 ◆ 具有可編程的升、降溫功能???????? ◆ 具有斷電報警、**溫報警、極限**溫報警等多種安全保護功能。 ◆ 具有高抗干擾能力 ◆ 具有多種工藝管路，可供用戶隨意靈活配置?? ?★?賽瑞達可
LPCVD設備
LPCVD設備維修及應用低壓化學氣相淀積設備使用與維護技術 LPCVD是大規模集成電路(LSI)和**大規模集成電路(VLSI)以及半導體光電器件工藝領域里的主要工藝之一。 PCVD技術可以提高淀積薄膜的質量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優點，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設備使用過程中出現薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內均勻性、片間均勻性不理想等問題，提