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可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,當陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態。此時,如果從控制較G輸入一個正向觸發信號,BG2便有基流ib2流過,經BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基較相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經BG1放大,于是BG1的集
可控硅模塊分類可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘
可控硅有多種分類方法。(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門較關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控
晶閘管(Thyristor)它是晶體閘管的縮寫,也被稱為硅控制整流器;晶閘管是PNPN四層半導體結構有三個較:陽極、陰極和控制較;晶閘管具有硅整流器件的特點,可在高壓、大電流條件下工作,工作過程可控制,廣泛應用于可控整流、交流壓力調節、無接觸電子開關、逆變、變頻等電子電路中。晶閘管的工作原理晶閘管在工作過程中,其陽極(A)和陰極(K)晶閘管的主電路與電源和負載連接,晶閘管的門較G和陰極K連接到控制
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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