【可控硅模塊】可控硅模塊怎么檢測(cè)好壞

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：721

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

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  詞條說明

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性

  IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū)，則正反

• 英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法

  英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法 ：測(cè)試方式：用萬用表只能測(cè)量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測(cè)量出來，但是，若IGBT是好的，它無法肯定是好的。IGBT損壞標(biāo)準(zhǔn)：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負(fù)表筆；其它類同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導(dǎo)通狀態(tài)，電壓為0.34V左右。若想完整測(cè)試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1

• 可控硅模塊

  特性。通過用萬用表檢測(cè)其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測(cè)出二極管是否損壞。1．極性的判別將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個(gè)電極，測(cè)出一個(gè)結(jié)果后，對(duì)調(diào)兩表筆，再測(cè)出一個(gè)結(jié)果。兩次測(cè)量的結(jié)果中，有一次測(cè)量出的阻值較大（為反向電阻），一次測(cè)量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一次測(cè)量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負(fù)極。2．單負(fù)導(dǎo)電性能

• 【可控硅模塊】可控硅的工作原理和主要作用

  可控硅的工作原理和主要作用一、可控硅的工作原理為：1、要使晶閘管導(dǎo)通，一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓，二是在它的控制較G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后，松開按鈕開關(guān)，去掉觸發(fā)電壓，仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。2、但是，如果陽極或控制較外加的是反向電壓，晶閘管就不能導(dǎo)通。控制較的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通，卻不能使它關(guān)斷。使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷，可以斷開陽極電源（圖3中的開關(guān)