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可控硅調壓模塊的幾種應用電路可控硅 是一種功率半導體器件,也稱雙向晶閘管,在單片機控制系統中,可作為功率驅動器件,由于雙向可控硅沒有反向耐壓問題,控制電路簡單,因此特別適合做交流無觸點開關使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器,且連接在強電網絡中,其觸發電路的抗干擾問題很重要,通常都是通過光電耦合器將單片機控制系統中的觸發信號加載到可控硅的控制較。為減小驅動功率和可控硅觸發時產生的干擾
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構, N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源較(即**較E)。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(包括P+和P-區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區(Subchannel region)。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區(Drain injector),它是IGBT特有
(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設備的短路保護用。?(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大,可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中,作短路保護。?(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器
進口晶閘管工作原理詳解1、晶閘管(SCR)晶體閘流管簡稱晶閘管,也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,晶閘管不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件較為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態。晶閘管的優點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數高達幾十萬倍;反應較快,在微秒級內開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是
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