二極管模塊應如何選型呢？

時間：2020-06-27

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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【可控硅模塊】可控硅模塊怎么檢測好壞
可控硅模塊怎么檢測好壞1、單向可控硅的檢測。萬用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數為數十歐姆的一對引腳，此時黑表筆的引腳為控制較G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽極A。此時將黑表筆接已判斷了的陽極A，紅表筆仍接陰極K。此時萬用表指針應不動。用短線瞬間短接陽極A和控制較G，此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉，阻值讀數為10歐姆左右。如陽極A接黑表筆，陰極K接紅
平板式可控硅的制作方法
**名稱：平板式可控硅的制作方法技術領域：本實用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術：可控硅又稱晶間管，晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長等諸多優點，發展迅猛。在世紀應用中，大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅，其特點是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結構形式，雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱，但因為陶瓷工藝易碎、雜質難控制等特點，其加工
高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測試？
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊，如圖4所示。電壓等級1200V，電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結溫的特點，可以達到175℃。為了充分發揮其高工作結溫特點，新一代PrimePACK?2封裝結合較新的.XT技術和新的設計方法，在保持上一代封裝尺寸的基礎上使得模塊電流輸出能力提升了33％。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊，分別使用兩種驅動對
【德國西門康可控硅】可控硅工作原理
可控硅工作原理結構原件可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成，其等效圖解如右圖所示。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電