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IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。當集電極被施加一
(1)操作過程中要佩戴防靜電手環;(2)盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;(3)IGBT模塊驅動端子上的黑色海綿是防靜電材料,用戶用接插件引線時取下防靜電材料立即插上引線;(4)在焊接作業時,設備容易引起靜電壓的產生,為了防止靜電的產生,請先將設備處于良好的接地狀態下。上述就是為你介紹的有關IGBT使用注意事項的內容,對此
西門子觸摸屏的工作原理可以簡述如下:?西門子觸摸屏采用電容式觸摸技術,其工作原理基于電容傳感器。觸摸屏表面覆蓋了一層透明的導電材料,例如玻璃或塑料,并涂有一層導電涂層。當用戶用手指或觸摸筆觸摸屏表面時,電容傳感器會感知到接觸點并測量電容變化。?電容式觸摸屏通過在觸摸屏面板兩個坐標軸上分布的一系列傳感器陣列來獲取觸摸位置。這些傳感器以周期性方式發送電荷到觸摸屏表面,形成電場。當用
1、一般保存IGBT模塊的場所,應保持常溫常濕狀態,不應偏離太大。常溫的規定為5℃~35℃,常濕的規定為45%~75%。在冬天特別干燥的地區,需要加濕機加濕。2、盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合。3、在溫度發生急劇變化的場所IGBT模塊表面可能有結露水的現象,因此IGBT模塊應放在溫度變化較小的地方。4、IGBT模塊在未投入生產時不要裸露放置,防止端子氧化情況的發生。上述就是為你介紹的有關IG
公司名: 深圳市寶安區誠芯源電子商行
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