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CR5212是一款應(yīng)用于小功率 AC/DC 充電器和電源適配器的離線式脈寬調(diào)制控制器
CR5212恒流/ 恒壓原邊PWMCR5212特征?? 低啟動電流?? 恒壓精度可達±5%、恒流精度可達±4%?? 原邊檢測拓撲結(jié)構(gòu),無需TL431和光耦?? 全電壓范圍內(nèi)恒壓和恒流輸出?? 可編程CC/CV模式控制?? 內(nèi)置輸出線電壓補償功能?? 內(nèi)置初級電感量偏差補償功能?? 內(nèi)置消隱電路 (LEB)??
本文主要介紹了CR6863B 的特征和詳細的工作原理,描述了一種采用 CR6863B 的反激式隔離 AC-DC開關(guān)電源的簡單而的設(shè)計方法。芯片特征?低待機功耗: <75mWCCM+PFM控制模式內(nèi)建同步斜坡補償,消除次諧波震蕩內(nèi)建頻率抖動功能,降低EMI內(nèi)置 65kHz 開關(guān)頻率內(nèi)置消隱電路VDD過壓保護功能內(nèi)置過溫保護過載保護綠色節(jié)能滿足 DOE 6 & COC T2 要
? ? ? 肖特基二管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)的名字命名的,SBD是肖特基勢壘二管(Schottky Barrier Diode, SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二管或表面勢壘二管,它是一種熱載流子二管。它具有
MOS場效應(yīng)管種類和結(jié)構(gòu) 8N60
MOS管種類和結(jié)構(gòu):? ? MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。? ??對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小,且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達
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