美國 HVA 真空閥門選型

時間：2023-05-18

作者：伯東企業（上海）有限公司

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詞條說明
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜
硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優良的光學穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數控制, 因此經過
KRI 離子源應用于車載AR-HUD 鍍膜
?HUD?已經成為一種常見的汽車配置與功能,?通過它來直觀顯示速度、發動機轉速或其他懸停在駕駛員視野中的信息,?減少因低頭查看儀表盤而造成的分心,?提升駕駛.?目前量產的車用抬頭顯示?HUD?正在從風擋型?W-HUD?逐漸向增強現實型的?AR-HUD?發展：從單純的信息展示屏幕,
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜
合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n
氦質譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現金剛石膜制備
氦質譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現金剛石膜制備微波等離子體化學氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認方法. MPCVD 裝置將微波發生器產生的微波經波導傳輸系統進入反應器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發下, 在反應室內產生輝光放電, 使反應氣體的分子離化, 產生等離子體, 在基板臺上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某