KRI 離子源用于UVC人機共存紫外濾光片鍍膜

時間：2024-01-10

作者：伯東企業（上海）有限公司

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KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,
分子泵組應用于脈沖激光沉積系統 PLD
渦輪分子泵組應用于脈沖激光沉積系統?PLD脈沖激光沉積系統 PLD 可用來制備金屬和各種物質薄膜, 甚至還用來制備一些難以合成的材料膜. 為了提高 PLD 系統的真空度和加快抽空時間, 經過伯東選用分子泵+分子泵組串聯組合的形式來提高系統的真空度. 快達到其使用要求.渦輪分子泵組應用于脈沖激光沉積系統 PLD 客戶案例一: 上海伯東某客戶選用美國相干 Coherent 公司出產的 COM
HVA 真空插板閥（真空閥門）用于激光真空系統
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。美國HVA帶孔真空插板閥（真空閥門）真空閘閥廣泛用于激光真空系統伯東公司代理美國HVA帶孔真空插板閥(Gate Valve)真空閥門廣泛用于激光真空系統HVA Gate Valve在激光真空系統上的應用伯東企業（上海）有限公司, 為美國HVA 真空閥門在中國境內的代理商, 并負責HVA Valve 真空閥門在中國地區的銷售
KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發系統輔助鍍膜應用
上海伯東美國?KRi 考夫曼離子源?e-beam 電子束蒸發系統輔助鍍膜應用上海伯東美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 系列, 通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現輔助鍍膜 IBAD.?e-beam?電子束蒸