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測試可控硅模塊的升溫3個方法可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。1、可控硅模塊環(huán)境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響,環(huán)
可控硅分類(一)按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門較關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。(二)按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。(三)按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓
晶閘管由硅單晶材料制成PN三端組件具有單向?qū)ㄐ浴㈦妷汉碗娏骺刂啤⑿◎?qū)動(毫安級)控制大功率負(fù)載。由于其特點,常用于可控整流、逆變器、無觸點開關(guān)、交流壓力調(diào)節(jié)等方面。除了普通的晶閘管外,由于不同場合的使用要求,還產(chǎn)生了各種類型的晶閘管。普通晶閘管1.關(guān)閉晶閘管 KG普通晶閘管控制極限G加上普通晶閘管導(dǎo)通的正向觸發(fā)信號,控制較G為了關(guān)閉普通晶閘管,必須失去陽極A與陰極K正電壓為零或負(fù)電壓。只要控制較
可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個PN結(jié),分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,當(dāng)陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時,如果從控制較G輸入一個正向觸發(fā)信號,BG2便有基流ib2流過,經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基較相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集
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