【德國西門康可控硅】可控硅分類

時間：2021-09-13

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性
IGBT工作特性靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反
英飛凌IGBT模塊
可控硅有多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類：可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門較關斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二較可控硅、三較可控硅和四較可控硅。（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控
二極管模塊
雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結性損壞。標準二極管模塊特點：*JEDEC TO-240 AA 國際標準封裝*直接銅敷
進口晶閘管供應常見晶閘管特點用途介紹
進口晶閘管供應? 常見晶閘管特點用途介紹1、單結晶體管單結晶體管（UJT）也稱雙基較二極管。從結構功能上類似晶閘管，它是由1個PN結和兩只內電阻構成的三端半導體器件，有一個PN結和2個基較，具有電路簡單、熱穩定性好等優點。廣泛應用于振蕩、定時、雙穩電路及晶閘管觸發等電路。2、單向晶閘管單向晶閘管（SCR）是由PNPN4層3個PN結組成的，它被廣泛用于可控整流、交流調壓、逆變器和開關電源電