詞條
詞條說(shuō)明
可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor?module)。較早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi);從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、
焊機(jī)的工況是間歇性的。即晶閘管工作時(shí)結(jié)溫升高,停止工作時(shí)結(jié)溫降至一定值。再次工作,結(jié)溫在此值的基礎(chǔ)上升高。這里應(yīng)該使用晶閘管設(shè)計(jì)實(shí)例1中提到的瞬態(tài)熱阻的概念。在這種情況下,熱平衡條件由安裝的散熱器和晶閘管的瞬態(tài)熱阻之和決定。計(jì)算公式見(jiàn)圖1。圖1在幾種常見(jiàn)載條件下等效結(jié)溫的計(jì)算公式(一)舉例說(shuō)明。例1:某焊機(jī)采用六相半波帶平衡電抗整流線。滿負(fù)荷工作時(shí),導(dǎo)角120°。每個(gè)晶閘管的平均電流為66.有效電
**名稱(chēng):平板式可控硅的制作方法技術(shù)領(lǐng)域:本實(shí)用新型涉及一種平板式可控硅。背景技術(shù):可控硅又稱(chēng)晶間管,晶間管整流器具有耐壓高、容量大、效率高、控制特性好、體積小、壽命長(zhǎng)等諸多優(yōu)點(diǎn),發(fā)展迅猛。在世紀(jì)應(yīng)用中,大功率晶間管整流裝置一般采用平板式可控硅,其特點(diǎn)是可作雙面冷卻。目前大功率平板式可控硅的封裝普遍采用陶瓷外殼的封裝結(jié)構(gòu)形式,雖然陶瓷材料能夠絕緣、耐熱,但因?yàn)樘沾晒に囈姿椤㈦s質(zhì)難控制等特點(diǎn),其加工
晶閘管(Thyristor)它是晶體閘管的縮寫(xiě),也被稱(chēng)為硅控制整流器;晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)有三個(gè)較:陽(yáng)極、陰極和控制較;晶閘管具有硅整流器件的特點(diǎn),可在高壓、大電流條件下工作,工作過(guò)程可控制,廣泛應(yīng)用于可控整流、交流壓力調(diào)節(jié)、無(wú)接觸電子開(kāi)關(guān)、逆變、變頻等電子電路中。晶閘管的工作原理晶閘管在工作過(guò)程中,其陽(yáng)極(A)和陰極(K)晶閘管的主電路與電源和負(fù)載連接,晶閘管的門(mén)較G和陰極K連接到控制
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