【二極管模塊】二極管工作原理

時(shí)間：2021-09-13作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：212

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

• 晶閘管的種類、特點(diǎn)及用途

  晶閘管由硅單晶材料制成PN三端組件具有單向?qū)ㄐ浴㈦妷汉碗娏骺刂啤⑿◎?qū)動(dòng)（毫安級(jí)）控制大功率負(fù)載。由于其特點(diǎn)，常用于可控整流、逆變器、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)、交流壓力調(diào)節(jié)等方面。除了普通的晶閘管外，由于不同場(chǎng)合的使用要求，還產(chǎn)生了各種類型的晶閘管。普通晶閘管1.關(guān)閉晶閘管 KG普通晶閘管控制極限G加上普通晶閘管導(dǎo)通的正向觸發(fā)信號(hào)，控制較G為了關(guān)閉普通晶閘管，必須失去陽(yáng)極A與陰極K正電壓為零或負(fù)電壓。只要控制較

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性

  IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū)，則正反

• 二極管模塊

  雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)性損壞。標(biāo)準(zhǔn)二極管模塊特點(diǎn)：*JEDEC TO-240 AA **標(biāo)準(zhǔn)封裝*直接銅敷