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詞條說明
? ? ? 可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀
IGBT模塊的型號密碼:解讀英飛凌命名體系電力電子工程師打開IGBT模塊規格書時,首先映入眼簾的是一串復雜的字母數字組合。這些看似隨機的字符背后隱藏著嚴謹的命名邏輯,掌握這套密碼體系能快速判斷模塊的關鍵參數。模塊型號通常包含六個核心信息段。第一部分表示電壓等級,數字6代表600V,1代表1200V,這是模塊耐壓能力的直接體現。第二部分字母組合顯示產品系列,不同系列對應特定的技術代次和工藝特征。第三
可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態;當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態,電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態越少,則電壓有效值越小,所產生的磁場越小,則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續調節。CPU⑥腳輸出的驅動信號經Q5放
英飛凌IGBT模塊系列簡介HybridPACK/DSC系列:這個應該是可用于雙面水冷方案的獨立封裝成型的單個IGBT模塊,也可用于普通的pinfin或者獨立冷卻水道的冷卻方案,電壓范圍Vces最大達到750V,屬于市場主流的電壓級別,但是電流能力略低,不過可以采用多模塊并聯的方案來提升總體性能;HybridPack/1&DC6系列:基于UVW三相全橋的整體式封裝方案,E3的芯片屬于老一代的
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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電 話: 0512-50111678
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