KRI 射頻離子源輔助沉積鍍制385nm紫外帶通濾光片

時間：2024-01-10

作者：伯東企業（上海）有限公司

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詞條說明
HVA 真空閘閥在氣體管路系統應用
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。美國 HVA?真空閘閥在氣體管路系統應用半導體工廠, 太陽能光伏, LED, 鍍膜等行業在工藝制程中需要使用到例如 Ar, O2 或是其他特殊氣體, 氣體管路系統(真空管路)的作用是把各種氣體在滿足工藝制程要求的純度, 壓力和流量的前提下安全穩定的供應到工藝設備內. 美國 HVA?真空閘閥廣泛用在氣體輸送環
KRI 射頻離子源輔助沉積鍍制385nm紫外帶通濾光片
?帶通濾光片也叫干涉濾光片,?主要起到過濾不想要的雜光,?只讓想要的光通過的作用. 385nm?紫外帶通濾光片是帶通濾光片中一款?UV?紫外波段的濾光片,?廣泛應用于熒光檢測,?多波段濾光片.?它具有高透過率,?其深截止可保探測器接收不到其它波長的光,?因此可保證圖像的高亮度和大的信噪比.
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用
上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3
HVA 高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。HVA?高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機OLED 鍍膜機主要面向半導體照明客戶, 需要鍍膜機性能穩定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應用一般科研用鍍膜機的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時需要配置分子泵系統或低溫泵