美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應用

時間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：50

伯東企業(yè)（上海）有限公司專注于pfeiffer,氦質(zhì)譜檢漏儀,inTEST等

• 詞條

  詞條說明

• 氦質(zhì)譜檢漏儀 CVD 設(shè)備檢漏,滿足第三代半導體芯片量產(chǎn)

  氦質(zhì)譜檢漏儀?CVD 設(shè)備檢漏, 滿足*三代半導體芯片量產(chǎn)上海伯東某客戶是一家以**化合物半導體光電器件相關(guān)產(chǎn)品衍生智造為主業(yè)的創(chuàng)新型科技公司, **產(chǎn)品是物聯(lián)網(wǎng), 5G 通訊, 安防監(jiān)控等*三代半導體芯片. 芯片在生產(chǎn)過程中使用 CVD 設(shè)備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設(shè)備處于高真空狀態(tài), 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設(shè)備檢漏要

• HVA 真空閥門 11000 用在 OLED 鍍膜機

  國內(nèi)某?OLED?鍍膜機廠家配置伯東美國?HVA?真空閥門?11000?系列，尺寸以?4”, 6”, 8”閥門口徑為主的標準不銹鋼氣動高真空閘閥,?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術(shù)規(guī)格:??閥門材質(zhì):?-?閥門主體?304&

• 美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應用

  上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導體應用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護, 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機, lo

• 美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用

  上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3