HVA 真空閥門 11000 用在 OLED 鍍膜機

時間：2024-01-11

作者：伯東企業（上海）有限公司

詞條
詞條說明
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用
上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3
KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜
立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學惰性/ 較好的熱穩定性/ 高的熱導率/ 在寬波長范圍內(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導體等特點, 在切削工具/ 材料/ 光學元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應用潛力.?在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用
美國 HVA 真空閥門中國總代理
上海伯東是美國?HVA 高真空和高真空閥門中國總代理!?HVA?是美國大的真空閥門制造商, 在美國有過四十年的歷史, 擁有6萬平方英尺的全自動加工工廠,?HVA?提供高質量, 準確, 客制化的真空閥門. 無論是生產線升級, 還是新設備制造,?HVA?都能提供經濟有效的閥門解決方案, 其中高真空閘閥現已廣泛應用于半導體氣體管路和各
美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應用
上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業, 半導體應用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區. 整體易操作, 易維護, 安裝于各類真空設備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機, lo