振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì) VSM 磁滯回線(xiàn)測(cè)試應(yīng)用|上海伯東代理英國(guó)進(jìn)口Nano

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 美國(guó) KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用

  上海伯東美國(guó)?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來(lái)處理薄膜及表面, 多種型號(hào)滿(mǎn)足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類(lèi)真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), lo

• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽(yáng)能電池的材料越來(lái)越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問(wèn)題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過(guò)

• 美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用

  上海伯東某客戶(hù)在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國(guó)?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過(guò)同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3

• HVA 真空閥門(mén)71000系列, 適用于苛刻的真空環(huán)境, 易于維護(hù)

  說(shuō)到真空閥門(mén), HVA 是繞不開(kāi)的, HVA 真空閥門(mén)是行業(yè)的者. HVA真空閥門(mén)包含HVA 真空矩形閥、HVA 真空閘閥, 真空插板閥、HVA 真空角閥等.?在 HVA 真空閥門(mén)中 71000 系列閥門(mén), 憑借其在 HVA 閥門(mén)中廣為人知的性和性, 使用壽命 > 250,000 cycles 啟閉次數(shù).?HVA?真空閥門(mén)?71000 系列由堅(jiān)固的不繡