KRI 離子源用于鍍制1064nm窄帶濾光片激光膜

時間：2024-01-10

作者：伯東企業（上海）有限公司

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KRi 大面積射頻離子源應用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 導體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的部件,
燃料電池儲氫系統氦質譜檢漏法
上海伯東燃料電池儲氫系統氦質譜檢漏法氫是一種易于儲存, 運輸和使用的能源載體.?在多種工業領域的脫碳,?以及在行駛距離長,?加油所需時間短的零排放出行中,?氫技術都發揮重要作用.?氫能作為一種清潔能源在燃料電池中的化學反應只產生水,?電和熱.?已被廣泛應用于燃料電池電動汽車?FCEV?車載儲氫系統,
氦質譜檢漏儀 CVD 設備檢漏,滿足第三代半導體芯片量產
氦質譜檢漏儀?CVD 設備檢漏, 滿足*三代半導體芯片量產上海伯東某客戶是一家以**化合物半導體光電器件相關產品衍生智造為主業的創新型科技公司, **產品是物聯網, 5G 通訊, 安防監控等*三代半導體芯片. 芯片在生產過程中使用 CVD 設備做鍍膜處理, 在鍍膜過程中需要保持設備處于高真空狀態, 這就要求腔體的泄漏率不能過 1E-10 mbrl l/s.CVD?設備檢漏要
KRi 考夫曼離子源表面預清潔 Pre-clean 應用
上海伯東代理美國?KRi 考夫曼離子源適用于安裝在 MBE 分子束外延, 濺射和蒸發系統, PLD 脈沖激光系統等, 在沉積前用離子轟擊表面, 進行預清潔 Pre-clean 的工藝, 對基材表面物清洗, 金屬氧化物的去除等, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等！KRi 離子源預清潔可以實現去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附氣體, 碳氫化合物殘留去除化學吸附污