氦質譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現金剛石膜制備

時間：2023-04-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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詞條說明
KRI 離子源用于UVC人機共存紫外濾光片鍍膜
? ?? ?紫外濾光片是一種光學元件, 通過使用分散在玻璃材料表面的光學薄膜控制入射光通過膜層后不同波長光的透反比. 222nm是紫外不可避免的一個波段, 因為其生物體透過率低, 被譽為對人體的紫外線.222nm遠紫外產品一定程度上解決了傳統紫外線不能直接照射人體的痛點問題, 兼顧了功能性和性, 實現了人機友好共存, 有效減少和滅殺身體表面多達99.9%的細
KRI 霍爾離子源應用于黑膜鍍制
? ?? ? ?黑膜鍍制,?是指將入射到材料表面的光線,?包括紫外光、可見光、近紅外光以及中遠紅外波段的光,?幾乎全部吸收而基本沒有反射的表面處理技術.?高的吸收率使黑膜有著廣闊的應用前景.?如可在精密光學儀器和光學零件、醫療儀器、航空航天、外觀裝飾品等產品上得到廣泛使用,?可大幅度提高產
氦質譜檢漏儀真空鍍膜配氣面板檢漏
氦質譜檢漏儀 ASM 340?真空鍍膜配氣面板檢漏上海伯東某客戶生產高純度特種氣體不銹鋼減壓閥門, 接頭, 管件, 這些配件主要用于集成在真空鍍膜配氣面板, 實現工藝氣體的傳輸. 為了防止氣體外泄, 除了閥門, 接頭, 管件需要單檢漏外, 整個配氣面板也需要測試整體漏率, 使用上海伯東德國 Pfeiffer?氦質譜檢漏儀 ASM 340, 真空模式下, 漏率設置為 5.5x
HVA 高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機
因產品配置不同，價格貨期需要電議，圖片僅供參考，一切以實際成交合同為準。HVA?高真空閘閥應用于 OLED 鍍膜機OLED 鍍膜機主要面向半導體照明客戶, 需要鍍膜機性能穩定, 器件效率高, *,HVA?高真空閘閥應用一般科研用鍍膜機的基片尺寸在 4”和6”大小, 本底真空度要求達到 5*10-7mbar 或 5*10-8mbar, 這時需要配置分子泵系統或低溫泵