KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應用

時間：2024-01-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

詞條
詞條說明
KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備
??紅外截止濾光片?(IRCF)?是利用精密光學鍍膜技術在光學基片上交替鍍上高低折射率的光學膜,?實現可見光區（400nm-630nm）高透,?近紅外（700nm-1100nm）截止的光學濾光片,?主要應用于可拍照手機攝像頭、電腦內置攝像頭、汽車攝像頭和安防攝像頭等數碼成像領域,?用于紅外光線對?CCD/CM
殘余氣體分析儀應用于高溫真空爐, 實現質量保證和過程優化
殘余氣體分析儀應用于高溫真空爐, 實現質量保證和過程優化上海伯東某客戶生產研發 X 射線管及組件, 使用德國 Pfeiffer?Hicube RGA 殘余氣體分析儀與高溫真空爐連接, 測試產品在不同溫度下揮發的產物變化, 進一步分析產品的耐用性以及使用形態. 實現真空過程相關的質量控制, 滿足 X 射線管工藝要求.殘余氣體分析儀質量保證和過程優化諸如提供氣體成分定量測定, 確定過程氣體純
上海伯東KRI離子源在半導體材料中的預清洗及刻蝕應用
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導纖維、電子工業的重要部件、光學儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學研究的重要材料。?本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導體材料SiO2中的預清洗及刻
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜
硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優良的光學穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數控制, 因此經過