詞條
詞條說(shuō)明
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的
富士IGBT的常見(jiàn)應(yīng)用場(chǎng)合
富士IGBT作為一種高功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域和場(chǎng)合:工業(yè)自動(dòng)化:富士IGBT常用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力電子變頻器、電力控制和調(diào)節(jié)系統(tǒng)等,用于實(shí)現(xiàn)精確的速度和位置控制,提高工業(yè)生產(chǎn)效率和能源利用率。交通運(yùn)輸:富士IGBT在交通運(yùn)輸領(lǐng)域的應(yīng)用包括電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的功率逆變器、牽引系統(tǒng)、電力傳動(dòng)裝置和列車控制系統(tǒng)等,支持高效、環(huán)保的交通方式。可再生能源:富士IGBT在太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)和
一文讀懂IGBT模塊特點(diǎn)及技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)
IGBT的工作原理IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)
西門子觸摸屏在工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的應(yīng)用有以下使用優(yōu)勢(shì):直觀易用:觸摸屏提供了直觀的人機(jī)界面,用戶可以通過(guò)簡(jiǎn)單的觸摸操作進(jìn)行交互,無(wú)需復(fù)雜的鍵盤或鼠標(biāo)操作。這種直觀性使得操作更加簡(jiǎn)單易學(xué),降低了培訓(xùn)成本和使用門檻。靈活性和可定制性:西門子觸摸屏通常具有可定制的界面和功能,可以根據(jù)用戶的需求進(jìn)行自定義設(shè)置。用戶可以根據(jù)具體應(yīng)用對(duì)觸摸屏界面進(jìn)行調(diào)整和配置,使其更加適應(yīng)自身的操作習(xí)慣和工藝流程。實(shí)時(shí)監(jiān)控和數(shù)據(jù)
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 13128707396
手 機(jī): +86 13128707396
微 信: +86 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
郵 編:
網(wǎng) 址: hchsw.cn.b2b168.com
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
手 機(jī): +86 13128707396
電 話: 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
郵 編:
網(wǎng) 址: hchsw.cn.b2b168.com