SKiiP智能Mini迷你IGBT模塊設(shè)計(jì)特點(diǎn)？

時(shí)間：2020-06-23作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：76

上海秦邦電子科技有限公司專(zhuān)注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門(mén)康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 二極管模塊

  雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)性損壞。標(biāo)準(zhǔn)二極管模塊特點(diǎn)：*JEDEC TO-240 AA **標(biāo)準(zhǔn)封裝*直接銅敷

• 可控硅模塊的工作原理是什么

  可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成，當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，如果從控制較G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，BG2便有基流ib2流過(guò)，經(jīng)BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基較相連，所以ib1=ic2。此時(shí)，電流ic2再經(jīng)BG1放大，于是BG1的集

• 可控硅調(diào)壓模塊的幾種應(yīng)用電路

  可控硅調(diào)壓模塊的幾種應(yīng)用電路可控硅 是一種功率半導(dǎo)體器件，也稱(chēng)雙向晶閘管，在單片機(jī)控制系統(tǒng)中，可作為功率驅(qū)動(dòng)器件，由于雙向可控硅沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴}，控制電路簡(jiǎn)單，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。雙向可控硅接通的一般都是一些功率較大的用電器，且連接在強(qiáng)電網(wǎng)絡(luò)中，其觸發(fā)電路的抗干擾問(wèn)題很重要，通常都是通過(guò)光電耦合器將單片機(jī)控制系統(tǒng)中的觸發(fā)信號(hào)加載到可控硅的控制較。為減小驅(qū)動(dòng)功率和可控硅觸發(fā)時(shí)產(chǎn)生的干擾

• 二極管模塊應(yīng)如何選型呢？

  1、快恢復(fù)二極管模塊快恢復(fù)二極管是一種能快速?gòu)耐☉B(tài)轉(zhuǎn)變到關(guān)態(tài)的特殊晶體器件。導(dǎo)通時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合（電路接通），截止時(shí)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)打開(kāi)（電路切斷）。特性是開(kāi)關(guān)速度快，快恢復(fù)二極管能夠在導(dǎo)通和截止之間快速轉(zhuǎn)化提高器件的使用頻率和改善波形。快恢復(fù)二極管模塊分400V快恢復(fù)二極管模塊，600V快恢復(fù)二極管模塊，1200V快恢復(fù)二極管模塊等。2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極利用二