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可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結構元件,共有三個PN結,分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,當陽極A加上正向電壓時,BG1和BG2管均處于放大狀態。此時,如果從控制較G輸入一個正向觸發信號,BG2便有基流ib2流過,經BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基較相連,所以ib1=ic2。此時,電流ic2再經BG1放大,于是BG1的集
晶閘管(Thyristor)它是晶體閘管的縮寫,也被稱為硅控制整流器;晶閘管是PNPN四層半導體結構有三個較:陽極、陰極和控制較;晶閘管具有硅整流器件的特點,可在高壓、大電流條件下工作,工作過程可控制,廣泛應用于可控整流、交流壓力調節、無接觸電子開關、逆變、變頻等電子電路中。晶閘管的工作原理晶閘管在工作過程中,其陽極(A)和陰極(K)晶閘管的主電路與電源和負載連接,晶閘管的門較G和陰極K連接到控制
可控硅模塊分類可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域,是采用模塊封裝形式,具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘
1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1(T1),*二陽極A2(T2)、控制較G三個引出腳。 只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時,方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態,陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發電壓,只要陽極A和陰
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