KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

時(shí)間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：44

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• HVA 真空閥門71000系列, 適用于苛刻的真空環(huán)境, 易于維護(hù)

  說(shuō)到真空閥門, HVA 是繞不開的, HVA 真空閥門是行業(yè)的者. HVA真空閥門包含HVA 真空矩形閥、HVA 真空閘閥, 真空插板閥、HVA 真空角閥等.?在 HVA 真空閥門中 71000 系列閥門, 憑借其在 HVA 閥門中廣為人知的性和性, 使用壽命 > 250,000 cycles 啟閉次數(shù).?HVA?真空閥門?71000 系列由堅(jiān)固的不繡

• 英國(guó) NanoMagnetics 原子力顯微鏡硅片表面形貌測(cè)量

  英國(guó) NanoMagnetics 原子力顯微鏡硅片表面形貌測(cè)量 上海伯東代理的英國(guó) NanoMagnetics 原子力顯微鏡硅片表面形貌測(cè)量應(yīng)用, 某高校老師通過原子力顯微鏡進(jìn)行硅片表面形貌測(cè)量和表面粗糙度測(cè)量, 便于后續(xù)進(jìn)行拉曼增強(qiáng). 測(cè)試方法: 選用上海伯東英國(guó) NanoMagnetics 原子力顯微鏡 ezAFM 進(jìn)行測(cè)試. 將樣品放置在樣品臺(tái), 通過系統(tǒng)軟件自動(dòng)控制. 原子力顯微鏡測(cè)試條件

• 分子泵組玻璃封管抽真空進(jìn)行金屬燒結(jié)試驗(yàn)

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• 美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機(jī)應(yīng)用

  上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中配置美國(guó)?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進(jìn)行鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時(shí)的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應(yīng)力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預(yù)清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3