KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

時間：2024-01-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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詞條說明
氦質譜檢漏儀真空鍍膜配氣面板檢漏
氦質譜檢漏儀 ASM 340?真空鍍膜配氣面板檢漏上海伯東某客戶生產高純度特種氣體不銹鋼減壓閥門, 接頭, 管件, 這些配件主要用于集成在真空鍍膜配氣面板, 實現工藝氣體的傳輸. 為了防止氣體外泄, 除了閥門, 接頭, 管件需要單檢漏外, 整個配氣面板也需要測試整體漏率, 使用上海伯東德國 Pfeiffer?氦質譜檢漏儀 ASM 340, 真空模式下, 漏率設置為 5.5x
HVA 真空閥門用在氣體管路系統
某半導體工廠在生產線上氣體輸送環節的氣體管路系統采用伯東?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?，作為真空隔離密封.??HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術規格:??閥門材質:?-?閥門主體?304?不銹鋼?-?焊接波紋
KRI 射頻離子源輔助沉積鍍制385nm紫外帶通濾光片
?帶通濾光片也叫干涉濾光片,?主要起到過濾不想要的雜光,?只讓想要的光通過的作用. 385nm?紫外帶通濾光片是帶通濾光片中一款?UV?紫外波段的濾光片,?廣泛應用于熒光檢測,?多波段濾光片.?它具有高透過率,?其深截止可保探測器接收不到其它波長的光,?因此可保證圖像的高亮度和大的信噪比.
KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220濺射沉積 ZrAlN薄膜
合金化是提高過渡族金屬氮化物薄膜硬度及抗磨損、耐腐蝕性能的有效方法。Al是常用合金化元素，能提高薄膜的硬度和抗高溫氧化性能。?北京某大學實驗室在對硬韌 ?ZrAlN 薄膜及薄膜力學性能研究中, 采用伯東?KRI?考夫曼射頻離子源?RFCIP220? 輔助磁控濺射沉積的方法在鈦合金和單晶 Si 上沉積不同 Al 含量的ZrAlN 薄膜.&n