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詞條說明
1、系統概述現今Power MOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT(絕緣柵型場效應晶體管)已成為大功率元件的主流,在市場上居于主導地位。由于科技進步,電力電子裝置對輕薄短小及高性能之要求 ,帶動MOSFET及IGBT的發展,尤其應用于電氣設備、光電、航天、鐵路、電力轉換....等領域,使半導體開發技術人員在市場需求下,對大功率元件的發展技術,持續在突破。半導體元件除了本身功能要良好之外,其
當西門子觸摸屏出現無法響應的情況時,可以嘗試以下處理方法:檢查觸摸屏是否有臟污:觸摸屏表面的污垢可能導致觸摸操作無法被正確識別。可以使用柔軟的、干凈的布料輕輕擦拭觸摸屏表面,確保沒有污垢或指紋殘留。檢查觸摸屏是否受損:檢查觸摸屏表面是否有劃痕、裂紋或其他物理損壞。如果有損壞,可能需要更換觸摸屏。檢查觸摸屏連接線路:確保觸摸屏的連接線路接觸良好,沒有松動或損壞。可以重新插拔連接線路,確保連接牢固。重
在使用富士IGBT時需要注意以下幾點事項:電壓和電流匹配:選擇適當的富士IGBT型號,確保其額定電壓和額定電流能夠滿足實際工作條件的需求,并注意不要超過其電壓和電流的極限值。散熱設計:富士IGBT在工作時會產生熱量,因此需要進行合適的散熱設計,確保器件能夠在正常工作溫度范圍內運行。選擇合適的散熱材料和散熱器,并正確安裝和調整散熱系統。靜電防護:富士IGBT是一種敏感的半導體器件,對靜電有很高的敏感
1)柵電壓IGBT工作時,必須有正向柵電壓,常用的柵驅動電壓值為15~187,最高用到20V, 而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關系,在設計IGBT驅動電路時, 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設計合適驅動參數,保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態與正向棚電壓有很大關系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也越小。2)Miller效應為了降低Miller效應的影響,在IGBT柵
公司名: 深圳市寶安區誠芯源電子商行
聯系人: 劉經理
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手 機: +86 13128707396
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地 址: 廣東深圳福田區園嶺街道園東社區園嶺八街園嶺新村92棟103
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