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可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態;當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態,電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態越少,則電壓有效值越小,所產生的磁場越小,則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續調節。CPU⑥腳輸出的驅動信號經Q5放
ABB可控硅模塊讓電路控制更簡單在電路設計中,控制部分常常是一個關鍵環節,而選擇適當的控制模塊可以讓這個過程變得更為簡單和高效。ABB的可控硅模塊就是這樣一個優秀的選擇。首先,ABB可控硅模塊的特點之一是其高效率。可控硅是一種基于半導體的電子元件,能夠在低功耗下進行開關操作,使得電路在不需要大量電能的情況下也能進行有效的控制。這使得它特別適合用于各種需要節能控制的場合,如工業自動化、電力轉換系統等
靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ,正向電壓由J2 結承擔,反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區,則正反向阻斷電壓可以做
如何挑選合適的IGBT模塊功率半導體器件中,IGBT模塊的選擇直接影響設備性能。面對市場上琳瑯滿目的產品,工程師需要把握幾個關鍵指標。電壓等級是首要考量因素。不同應用場景對耐壓要求差異顯著,工業變頻器通常需要1200V級別,而新能源發電系統則要求1700V以上規格。選擇時需預留20%余量,以應對電壓波動和浪涌沖擊。過低的耐壓會導致器件擊穿,而過高的等級又會造成成本浪費。電流容量同樣至關重要。模塊標
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
聯系人: 林志勝
電 話: 0512-50111678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
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