可控硅調速原理

時間：2025-04-30

作者：昆山奇沃電子有限公司

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詞條說明
可控硅的作用介紹及檢測方法
1. 可控硅的特性。可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A
熔斷器的工作原理
熔斷器俗稱保險絲,,它是一種安裝在電路中,保證電路安全運行的電器元件。熔斷器其實就是一種過電流保護器。熔斷器的工作原理是:電流超過規定值一段時間后,熔斷器以自身產生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開。在配電系統和控制系統及用電設備中,熔斷器作為短路和嚴重過電流的保護器,是應用最普遍的保護器件之一。熔斷器具有反延時特性,即過載電流小時,熔斷時間長;過載電流大時,熔斷時間短。所以,在一定過載電流范圍內,
可控硅壞的原因及維護方法
可控硅壞的原因：1、電壓擊穿可控硅因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。2、電流損壞電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上。3、電流上升率損壞其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。4、邊緣損壞他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有
英飛凌IGBT模塊怎么選擇
如何挑選合適的IGBT模塊功率半導體器件中，IGBT模塊的選擇直接影響設備性能。面對市場上琳瑯滿目的產品，工程師需要把握幾個關鍵指標。電壓等級是首要考量因素。不同應用場景對耐壓要求差異顯著，工業變頻器通常需要1200V級別，而新能源發電系統則要求1700V以上規格。選擇時需預留20%余量，以應對電壓波動和浪涌沖擊。過低的耐壓會導致器件擊穿，而過高的等級又會造成成本浪費。電流容量同樣至關重要。模塊標