詞條
詞條說(shuō)明
Decap芯片內(nèi)開(kāi)封類型原理及應(yīng)用
Decap開(kāi)封類型原理及應(yīng)用 儀準(zhǔn) AA探針臺(tái) 轉(zhuǎn)載請(qǐng)寫(xiě)明出處Decap即開(kāi)封,也稱開(kāi)蓋,開(kāi)帽,指給完整封裝的IC做*局部腐蝕,使得IC可以暴露出來(lái),同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備,方便觀察或做其他測(cè)試(如FIB,EMMI),Decap后功能正常。 去封范圍:普通封裝 COB
集成電路的2020年發(fā)展趨勢(shì) 據(jù)了解,2019年由于受世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展的增速減緩、整機(jī)廠商的去庫(kù)存化等綜合因素的干擾,**半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)普遍處于下滑態(tài)勢(shì)。 作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)里的關(guān)鍵產(chǎn)品之一,集成電路領(lǐng)域的發(fā)展趨勢(shì)備受關(guān)注。 集成電路(integratedcircuit)是一種微型電子器件或部件。縮寫(xiě)為IC;采用一定的工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊或幾小塊半
聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹:FIB(聚焦離子束,F(xiàn)ocused Ion beam)是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過(guò)離子槍加速,聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號(hào)**電子像,此功能與SEM(掃描電子顯微鏡)相似,或用強(qiáng)電流離子束對(duì)表面原子進(jìn)行剝離,以完成微、納米級(jí)表面形貌加工。 服務(wù)范圍:工業(yè)和理論材料研究,半導(dǎo)體,數(shù)據(jù)存儲(chǔ),自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容:1.芯片電路修改
無(wú)損檢測(cè)分析 工程檢查/無(wú)損檢測(cè)無(wú)損檢測(cè)是在不損壞工件或原材料工作狀態(tài)的前提下,對(duì)被檢驗(yàn)部件的表面和內(nèi)部質(zhì)量進(jìn)行檢查的一種測(cè)試手段。 無(wú)損檢測(cè)方法 常用的無(wú)損檢測(cè)方法有:X光射線探傷、超聲波探傷、磁粉探傷、滲透探傷、渦流探傷、γ射線探傷、螢光探傷、著色探傷等方法。 無(wú)損檢測(cè)目地 通過(guò)對(duì)產(chǎn)品內(nèi)部缺陷進(jìn)行檢測(cè)對(duì)產(chǎn)品從以下方面進(jìn)行改進(jìn)。 1、改進(jìn)制造工藝; 2、降低制造成本; 3、提高產(chǎn)品的可靠性; 4
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝
開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線
聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡
EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光**顯微鏡
IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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