手動探針臺廠家介紹

時間：2018-06-26作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：233

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  詞條說明

• 聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標 一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• 聚焦離子束顯微鏡FIB應用

  1.引言 隨著納米科技的發展，納米尺度制造業發展*，而納米加工就是納米制造業的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束（FIB）技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實時觀察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed Ion beam, F

• 白話芯片漏電定位方法科普

  白話芯片漏電定位方法科普 原創 儀準科技 王福成 轉載請寫明出處 芯片漏電是失效分析案例中較常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導等手段是工程人員經常采用的手段。多年來，在中國半導體產業有個誤區，認為激光誘導手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導（laser scan Microscope). 目前激光誘導功能在業內普遍被采

• FIB/SEM/EDX技術指標

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標 一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離