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失效分析(FA)是一門發(fā)展中的新興學科,近年開始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術開發(fā)、改進,產(chǎn)品修復及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。其方法分為有損分析,無損分析,物理分析,化學分析等 失效分析的意義:分析機械零器件失效原因,為事故責任認定、偵破刑事犯罪案件、裁定賠償責任、保險業(yè)務
聚焦離子束FIB詳解 1.引言 隨著納米科技的發(fā)展,納米尺度制造業(yè)發(fā)展*,而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束(FIB)技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數(shù)電子顯微鏡實時觀察,成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed
芯片開封機分用化學腐蝕和激光開封兩種,區(qū)別是激光開封比較簡單,而且開封銅線邦定的效果好 開封指去除ic封膠,同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實驗做準備。也稱為開蓋,開帽,去封范圍:普通封裝COB、BGA 陶瓷、金屬等其它特殊封裝。 芯片IC半導體元器件開封機decap酸開封機自動開封機激
芯片行業(yè)的困境 過去幾十年,在摩爾定律的指導下,芯片中的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番。晶體管的微縮技術革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀60年代**被發(fā)現(xiàn),并一直延續(xù)到2010年代,至此以后,晶體管密度的發(fā)展開始放緩。如今,主流芯片包含了數(shù)十億個晶體管,但如果摩爾定律能夠繼續(xù)按照當時的速度發(fā)展下去,它們的晶體管數(shù)量將是現(xiàn)在的15倍。 每一代晶體管密度的增加,被稱為“節(jié)點”。每個節(jié)點對應于晶體
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
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地 址: 北京海淀中關村東升科技園
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