無(wú)錫整流橋的區(qū)別有哪些？

時(shí)間：2025-05-24

作者：昆山奇沃電子有限公司

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詞條
詞條說(shuō)明
【二極管模塊】二極管模塊分類
二極管算是半導(dǎo)體家族中的元老了，從1930年開(kāi)始，半導(dǎo)體整流器開(kāi)始投入市場(chǎng)。二極管模塊分為：快恢復(fù)二極管模塊，肖特基二極管模塊，整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區(qū)別是功率、速度和封裝不同。二級(jí)管一般指電流、電壓、功率比較小的單管，一般電流在幾個(gè)安培以內(nèi)，電壓最高1000多V，但是反向恢復(fù)素很快，只有幾個(gè)ns至幾十個(gè)ns，用在小功率開(kāi)關(guān)電源做輸出整流，或需要頻繁開(kāi)關(guān)的場(chǎng)
【英飛凌IGBT銷售】IGBT工作特性
靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ，正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做
德國(guó)英飛凌IGBT模塊
德國(guó)英飛凌IGBT模塊是一種高效、高功率密度的半導(dǎo)體模塊，廣泛應(yīng)用于各種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，如電動(dòng)汽車、風(fēng)力發(fā)電、工業(yè)驅(qū)動(dòng)等。首先，英飛凌IGBT模塊采用了先進(jìn)的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）技術(shù)。這是一種特殊類型的功率半導(dǎo)體器件，具有較高的開(kāi)關(guān)頻率和功率轉(zhuǎn)換效率。因此，英飛凌IGBT模塊在高頻、高效和快速開(kāi)關(guān)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，使其在各種電力電子應(yīng)用中成為理想選擇。其次，英飛凌IGBT模塊采用了先進(jìn)
一篇文章帶你重新認(rèn)識(shí)可控硅
可控硅的PN結(jié)比三極管多了半個(gè)，它有兩個(gè)P型半導(dǎo)體和兩個(gè)N型半導(dǎo)體組成，我們把它看做是漢堡的話，最底層的是N型半導(dǎo)體，上面的是P型半導(dǎo)體，再上面又是N型半導(dǎo)體，最后一層也還是P型半導(dǎo)體，它總共有四層半導(dǎo)體，N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體交錯(cuò)互織在一起，而里面就夾雜著三個(gè)PN結(jié)，我們?cè)诘诙拥腜型半導(dǎo)體中接出引線，就成了可控硅的控制極，在第四層接引線稱作陽(yáng)極，在最下面的N型半導(dǎo)體上接的引線就叫做陰極。單向可