聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

時間：2020-04-26

作者：儀準科技（北京）有限公司

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微電子失效分析方法總結
微電子失效分析方法總結失效分析趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內部的晶格結構，雜質顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導體BGA，線路板等內部位移的分析；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數：標準檢測分
PCB失效分析方法流程
作為各種元器件的載體與電路信號傳輸的樞紐，PCB已經成為電子信息產品的較為重要而關鍵的部分，其質量的好壞與可靠性水平決定了整機設備的質量與可靠性。但是由于成本以及技術的原因，PCB在生產和應用過程中出現了大量的失效問題。對于這種失效問題，我們需要用到一些常用的失效分析技術，來使得PCB在制造的時候質量和可靠性水平得到一定的保證，本文總結了**失效分析技術，供參考借鑒。 1.外觀檢查外觀檢查就是
樣品失效分析具體操作
1.1 失效和失效分析產品喪失規定的功能稱為失效。判斷失效的模式，查找失效原因和機理，提出預防再失效的對策的技術活動和管理活動稱為失效分析。 1.2 失效和事故失效與事故是緊密相關的兩個范疇，事故強調的是后果，即造成的損失和危害，而失效強調的是機械產品本身的功能狀態。失效和事故常常有一定的因果關系，但兩者沒有必然的聯系。 1.3 失效和可靠失效是可靠的反義詞。機電產品的可靠度R(t）是指時間
晶柱成長制程
《晶柱成長制程》硅晶柱的長成，首先需要將純度相當高的硅礦放入熔爐中，并加入預先設定好的金屬物質，使產生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質，接著需要將所有物質融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。長晶主要程序︰融化（MeltDown）此過程是將置放于石英坩鍋內的塊狀復晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數為坩鍋的位置與熱量的供應，若使用較大的功率來