芯片技術

時間：2020-04-10

作者：儀準科技（北京）有限公司

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詞條說明
微量元素含量測試方法
微量元素含量測試方法近年來，元素含量測試儀器發展十分*，常見的測試儀器有原子反射光譜法（AES）、原子吸收光譜法（AAS）、X射線熒光光譜法（XRF）、電感耦合等離子體原子**光譜（ICP-AES）和質譜（ICP-MS）等，由于各個儀器的技術方法存在局限性，如何對待測元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測試儀器原理、適用范圍兩個方面作簡要介紹。 1.原子**光譜（AES）原子**光譜
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
熱插拔帶來的EOS損壞
熱插拔帶來的EOS損壞 \使用USB接口的產品，如果熱插拔設計存在問題的話，*帶來EOS破壞。產品熱插拔的時候，可能會帶來瞬時的大電流，這種大電流，是一種震蕩波，首先，可能直接破壞芯片或器件，而是激發芯片產生大電流的latchup效應，最后燒壞芯片或器件。某產品試用時，插拔時頻頻出現損壞，經過比對電性分析，發現電性明顯異常，進行EMMI測試，發現芯片表面異常亮點，在顯微鏡下，發現鋁線燒損，判
微納加工應用
聚焦離子束，Focused Ion beam 服務介紹：FIB（聚焦離子束，Focused Ion beam）是將液態金屬離子源產生的離子束經過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強電流離子束對表面原子進行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。服務范圍：工業和理論材料研究，半導體，數據存儲，自然資源等領域服務內容：1.芯片電路修改