PCB出口業(yè)務(wù)迎至暗時刻：砍單疊加物流遇阻，轉(zhuǎn)向挖掘國內(nèi)市場

時間：2020-04-17作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：163

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  詞條說明

• 芯片漏電分析手段被誤導(dǎo)了很多年

  一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH，甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識。 OBIRCH其實只是一種技術(shù)，是早年日本NEC發(fā)明并申請了專li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內(nèi)部有微小電流流過，同時在芯片表面用激光進行掃描。 激光掃描的同時，對微小電流進行監(jiān)測，當(dāng)激光掃到某個位置，電流發(fā)生較大變化，設(shè)備對這個點進行標(biāo)記，也就是說這個位置即為

• 晶柱成長制程

  《晶柱成長制程》 硅晶柱的長成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長成單晶的硅晶柱，以下將對所有晶柱長成制程做介紹。 長晶主要程序︰ 融化（MeltDown） 此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來

• 芯片測試方法匯總

  芯片失效分析檢測方法匯總 失效分析 趙工 1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein 微焦點Xray用途：半導(dǎo)體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)：標(biāo)準(zhǔn)檢測

• 失效分析FA常用工具介紹

  失效分析FA常用工具介紹；透射電鏡（TEM）；TEM一般被使用來分析樣品形貌（morholog；與TEM需要激發(fā)二次電子或者從樣品表面**的電子；然后用這種電子束轟擊樣品，有一部分電子能穿透樣品；對于晶體材料，樣品會引起入射電子束的衍射，會產(chǎn)生；對于TEM分析來說*為關(guān)鍵的一步就是制樣；集成電路封裝的可靠性在許多方面要取決于它們的機械；俄歇電子（AgerAna 失效分析常用工具介紹 透射電鏡（TE