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FIB技術的在芯片設計及加工過程中的應用介紹: 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設計方案。 若芯片部份區域有問題,可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在較終產品量產之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數,
微量元素含量測試方法 近年來,元素含量測試儀器發展十分*,常見的測試儀器有原子反射光譜法(AES)、原子吸收光譜法(AAS)、X射線熒光光譜法(XRF)、電感耦合等離子體原子**光譜(ICP-AES)和質譜(ICP-MS)等,由于各個儀器的技術方法存在局限性,如何對待測元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測試儀器原理、適用范圍兩個方面作簡要介紹。 1.原子**光譜(AES) 原子**光譜
半導體技術公益課 2020年4月18日(周六) 題 目: 芯片流片前的物理驗證 簡 介: 1.**部分drc; 2.*二部分lvs; 時 長: 10分鐘 主 講 人: Allen 產品工程師 時 間 : 11:00-11:10 題 目:芯片失效分析方法及流程 簡 介:失效分析方法; 失效分析流程; 失效分析案例; 失效分析實驗室介紹。 分享時長:45分鐘 主 講人:趙俊紅就職于科委檢測中心,集成電
失效分析樣品準備: 失效分析是芯片測試重要環節,無論對于量產樣品還是設計環節亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,FIB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因為失效分析設備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設備,因此借用外力,使用對外開放的資源,來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時需要準備
公司名: 儀準科技(北京)有限公司
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