微電子失效分析方法總結

時間：2020-03-23

作者：儀準科技（北京）有限公司

詞條
詞條說明
半導體技術公益課：芯片流片前的物理驗證
半導體技術公益課 2020年4月18日（周六）題目: 芯片流片前的物理驗證簡介: 1.**部分drc； 2.*二部分lvs；時長: 10分鐘主講人: Allen 產品工程師時間 : 11:00-11:10 題目：芯片失效分析方法及流程簡介：失效分析方法；失效分析流程；失效分析案例；失效分析實驗室介紹。分享時長：45分鐘主講人：趙俊紅就職于科委檢測中心，集成電
探針臺支援湖北
儀準科技向湖北半導體產業伸出援助之手援鄂行動愛在傳遞儀準科技成立至今已逾十載，十年來在國家政策幫扶和半導體行業關愛下茁壯成長，砥礪前行！疫情當下，中國經濟發展將受到短暫的影響。儀準科技心系國家，將愛傳遞，特向受影響較大的湖北省援助**百萬的探針臺。援助方案分兩部分，總****過100**民幣1、免費捐贈探針臺產品（5臺）。 A、 ADVANCED PW-400-PCKG 3套每套配置如下：
聚焦離子束FIB
聚焦離子束，Focused Ion beam 服務介紹：FIB（聚焦離子束，Focused Ion beam）是將液態金屬離子源產生的離子束經過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強電流離子束對表面原子進行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。服務范圍：工業和理論材料研究，半導體，數據存儲，自然資源等領域服務內容：1.芯片電路修改
FIB/SEM/EDX技術指標
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離