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微電子失效分析方法總結 失效分析 趙工 1 、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無損檢查:1.材料內部的晶格結構,雜質顆粒.夾雜物.沉淀物.2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X-Ray(這兩者是芯片發生失效后首先使用的非破壞性分析手段),德國Fein 微焦點Xray用途:半導體BGA,線路板等內部位移的分析 ;利于判別空焊,虛焊等BGA焊接缺陷. 參數:標準檢測分
湖北省集成電路產業 在國家大力推動下,國內集成電路產業逐漸形成了以北京為**的京津翼地區、以上海為**的長三角地區、以深圳為**的珠三角地區、以四川、重慶、湖北、湖南、安徽等為**的中西部地區四大產業聚集區。 隨著新一輪集成電路發展熱潮涌現,除京滬等地繼續**外,中西部地區省市雖為*二梯隊,卻也因西安、成都、重慶、武漢、長沙、合肥等集成電路重點城市,成為產業發展較活躍的產業聚集區,其中湖北憑借著國
FIB技術的在芯片設計及加工過程中的應用介紹: 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進行物理修改可使芯片設計者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準確的驗證設計方案。 若芯片部份區域有問題,可通過FIB對此區域隔離或改正此區域功能,以便找到問題的癥結。 FIB還能在較終產品量產之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產品的上市時間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設計方案修改次數,
1.引言 隨著納米科技的發展,納米尺度制造業發展*,而納米加工就是納米制造業的**部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發展起來的聚焦離子束(FIB)技術利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數電子顯微鏡實時觀察,成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed Ion beam, F
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